設備
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RAS-1100C 雙槽式濺射成膜裝置RAS-1100C 雙槽式濺射成膜裝置
系采用了本公司自主研發的RAS法(Radical Assisted Sputtering:
激化輔助濺鍍法)的小型候選機型,實現了在低温下以良好的再現性制造波長稳定的高品質光學薄膜,以及包括裝飾膜在内的功能性薄膜、氮化膜等。 -
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MIC-1350-DSN-LMIC-1350-DSN-L
日本真空龍(Shincron)為真空鍍膜生產設備之翹楚,其所生產之高精密離子輔助光學鍍膜系統MIC1350系列,可用於AR(抗反射膜),DBR(布拉格反射鏡)及ODR(全方向反射鏡)等製程.可應用於光學業,發光二極體,觸控面板及太陽能等產業上之產品生產。 -
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R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。 -
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NITTOKU RFID讀寫機NITTOKU RFID讀寫機
iTS – LRW210本體搭載RS-232C、RS-485、Ethernet,透過通訊專用CPU雙處理器構成的SECS通訊對應,並內藏Ethernet中SECS通訊機能 -
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R-200 Standard 標準型熱化反應式原子層沉積系統R-200 Standard 標準型熱化反應式原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。 -
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P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。 -
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P-1000 18吋晶圓級批量式原子層沉積系統P-1000 18吋晶圓級批量式原子層沉積系統
PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。