Picosun

P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統

P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統

PICOSUN™ 原子層沉積(ALD)系統專門針對研究、生產、生產研發和試生產進行優化。用途廣泛的反應器設計使2吋至18吋(50毫米至450毫米)的晶片、三維物體,以及多孔基片上均可進行沉積。反應器腔體採用抗腐蝕性工藝材料。輔助配件可以透過安裝各種反應前趨物、不同尺寸的反應器腔體和手動、自動化基板進樣裝置,以及臭氧、氮氣或電漿產生器等來進行設備升級。
詳細介紹
P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統

P-300B 12吋晶圓級批量式原子層沉積系統

PICOSUN™ P-300B 是一款針對工業級大批量生產(Mass Production)優化的 300mm 晶圓 ALD 系統。其專利反應器設計支援高載量批量處理,適用於先進半導體製程、IC 封裝及大型基材鍍膜。反應器腔體採用抗腐蝕工藝材料,可選配全自動晶圓傳輸系統(EFEM),並整合電漿輔助與臭氧發生裝置,在追求極致產能的同時,依然能維持原子級的薄膜精度與再現性。

批量製程核心優勢

 
01
100% 批量覆蓋率 在批量載具內的每一片晶圓及複雜結構中,實現分子級的均勻包裹。
02
12吋晶圓級生產規格 專為 300mm (12吋) 晶圓產線開發,相容各種主流半導體載具標準。
03
極致的批量膜厚均勻性 透過優化流場設計,將批量晶圓間(Wafer-to-Wafer)的誤差降至最低。
04
無孔隙緻密薄膜品質 ALD 工藝確保薄膜具備頂尖的物理屏障性能與極低的電氣漏電流。
05
高產能再現性製程 專為 24/7 持續生產優化,確保不同批次間的製程參數高度一致。
06
熱敏材料低溫製程 支援電漿輔助與優化化學反應,可在較低熱預算下完成薄膜成長。
07
先進奈米複合結構 具備混合材料與奈米級分層能力,適用於複雜的邏輯晶片與記憶體製程。
08
高度自動化整合擴展 可配置全自動機械手臂進樣、臭氧、電漿發生器,無縫接軌現代化工廠。