R-200 進階型電漿輔助原子層沉積系統
PICOSUN™ R-200 是一款專為研發與小規模量產深度優化的 ALD 系統。其具備極高的工藝靈活性，反應器設計可對應從 2 吋到 18 吋的多元基材，並能在複雜的三維（3D）物體及高深寬比多孔材料上實現原子級薄膜沉積。系統採用抗腐蝕性材料與模組化配置，可整合臭氧、氮氣與電漿產生器，為半導體、光電及奈米材料領域提供頂尖的薄膜成長方案。
核心技術優勢
01
100% 階梯覆蓋率 (Step Coverage) 具備卓越的高深寬比結構包裹能力，確保三維物體表面膜層完整。
02
原子級膜厚控制精度 透過精確的單原子層自限制反應，實現埃米（Å）等級的厚度管理。
03
完美的膜厚均勻性 在大尺寸晶圓（最高達 450mm）及複雜基材上維持極高的一致性。
04
高品質無孔隙薄膜 (Pinhole-free) 沉積薄膜具備優異的緻密性，有效提供絕佳的電氣絕緣與阻隔特性。
05
低製程溫度特性 支援電漿輔助 ALD 製程，可在較低溫度下成長高品質材料，擴大基材耐受性。
06
高再現性與工藝穩定度 穩定的前趨物脈衝控制系統，確保不同批次製程具備高度的一致性。
07
奈米分層多層膜技術 支援混合材料、奈米級多層複合薄膜沉積，開發先進光學與功能性結構。
08
模組化功能擴展性 可選配手/自動基板進樣、臭氧與多樣前趨物源，適應多元化的生產需求。